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MASTER NANOTECH
Parcours international Nanotech
MASTER NANOTECH
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> Formation

De la micro à la nanoélectronique

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  • Volumes horaires

    • CM : 14
    Crédits ECTS : 1,5
  • Responsables : Quentin Rafhay

Objectifs

This course will be focused on the physics of short channel MOSFET transistor. The aim of these lectures is to give an overview of the challenges raised by scaling in the nanometer range.

Contenu

Courses

  • Basics of long channel MOS Transistor
  • Short channel MOSFET : mobility degradation due to surface roughness

Threshold voltage roll off
Saturation velocity
Quantum effects : confinement and tunneling
Ballistic limit
MOSFET scaling constant field and constant voltage scaling
Introduction to Roadmap 2002


Exercises and Laboratories

None

Informations complémentaires

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Necessary conditions : Physique des semiconducteurs - Capacité MOS - Transistor MOS à canal long
Preparation for : Nano-electronics

Bibliographie

Fundamentals of Modern VLSI devices, by Y. Taur, T. H. Ning, Cambridge university press 1999

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mise à jour le 23 janvier 2019

Grenoble INP Institut d'ingénierie Univ. Grenoble Alpes