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Grenoble INP - UGA
MASTER NANOTECH
Parcours international Nanotech
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> Formation

Dispositifs de CMOS Avancés - 4PMTACD6

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  • Volumes horaires

    • CM : 8.0
    • TD : 8.0
    • TP : 0
    • Projet : 0
    • Stage : 0
    Crédits ECTS : 1.5

Objectifs

L'objectif de ce cours est de présenter en détail la physique du composant MOSFET

Contact Irina IONICA, Quentin RAFHAY

Contenu

  • Démonstrations des équations de base du courant dans le MOSFET dans les différent régime
  • Transport dans les canaux courts
  • Effet de canaux cours
  • Effet quantique dus au confinement transverse
  • Zoologie des effets parasites


Prérequis

Physique du solide
Physique des semiconducteurs
Physique des composants à semiconducteur

Contrôles des connaissances

Semestre 8 - L'examen existe uniquement en anglais 

Partiel écrit : 2h



Informations complémentaires

Semestre 8 - Le cours est donné uniquement en anglais EN

Cursus ingénieur->Filières->Semestre 8

Bibliographie

Physique des semiconducteurs et des composants électronique - Henry Mathieu - Dunod
Fundamentals of carrier transport - Mark Lundstrom - Cambridge university press
Semiconductor devices physics and technology - Sze

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mise à jour le 23 janvier 2019

Université Grenoble Alpes