Lithographie avancée - 4PMTADL2
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail
Volumes horaires
- CM : 6.0
- TD : 6.0
- TP : 0
- Projet : 0
- Stage : 0
Crédits ECTS : 2.0
Contenu 1.Optical lithography:
1.1. Description of a standard scanner
1.2. Phenomenological description of image formation
1.3. Lithography criteria: Resolution, depth of focus, line edge roughness, ..
2. Trends in optical lithography: Resolution Enhancement Techniques:
2.1. Immersion Lithography
2.2. Double patterning
2.3. Optical Proximity effects Correction (OPC)
2.4. Advanced masks
3. Next Generation lithography:
3.1. Extreme UltraViolet (EUV)
3.2. Imprint
3.3. Directed Self Assembly
3.4. Direct electron beam writing
4. Focus on e-beam lithography technique (by Jonathan Pradelles, CEA-Leti)
4.1. e-beam writer description
4.2. Physics of electron/matter interaction
4.3. OPC in e-beam lithography
Prérequis
Contrôles des connaissances Semestre 8 - L'examen existe uniquement en anglais 
Examen écrit de 2h, pas de documents autorisés, sauf une feuille A4 manuscrite RV.
100% exam écrit
Informations complémentaires Semestre 8 - Le cours est donné uniquement en anglais 
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail
mise à jour le 6 octobre 2025